近日，特斯拉為Terafab工廠釋出出記憶體工藝整合工程師崗位，主攻DRAM與新興記憶體單元工藝整合，釋放出正式切入儲存製造的明確訊號招聘。
該崗位要求推進20nm以下半間距DRAM工藝落地，完成從電容設計到量產準備全流程，同時開展MRAM、RRAM、3D DRAM等新技術研發，聯動蝕刻、沉積、電路設計團隊完成器件效能驗證招聘。
Terafab是特斯拉與SpaceX聯合半導體專案，獲得英特爾技術支援，遠期目標實現每年1太瓦AI算力產出，專案尚處早期，首期168億美元投向得州格萊姆斯縣半導體園區，未來廠區規劃可達1億平方英尺招聘。
專案旨在解決半導體制造碎片化，整合光刻、封裝、測試全流程，將晶片設計週期壓縮至數週招聘。此次招聘意味著Terafab著手破解AI產業記憶體供給緊張難題。
馬斯克表示：AI熱潮中最大的瓶頸是記憶體，記憶體供應量每年增長約20%，而需求量每年增長200%甚至更多，二者10倍增速差距造成價格暴漲招聘。
當前DRAM市場由三星、SK 海力士、美光寡頭主導，Terafab若實現儲存量產，將改寫現有供應鏈格局，但先進儲存製造技術壁壘高，專案後續技術落地與量產進度仍待觀察招聘。
